晶圆键合方法、金属标记的形成方法、晶圆结构及晶圆修边刀具-pg电子麻将胡了

申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-09-01

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117672837a

主分类号：h01l21/306

分类号：h01l21/306;h01l23/544

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本申请提供一种晶圆键合方法、金属标记的形成方法、晶圆结构及晶圆修边刀具，所述晶圆键合方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括衬底和位于所述衬底上的键合层；对所述第一晶圆的键合层和修边区衬底进行修边处理，其中修边宽度自所述键合层的表面向所述修边区衬底的底面逐渐增大；将所述键合层和所述第二晶圆进行键合，并去除所述第一晶圆上的非修边区衬底以及减薄所述修边区衬底至目标厚度。本申请技术方案能够解决因籽晶层薄且不连续而导致形成金属标记时无法正常对晶圆进行加电的问题。

主权项：1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括衬底和位于所述衬底上的键合层；对所述第一晶圆的键合层和修边区衬底进行修边处理，其中修边宽度自所述键合层的表面向所述修边区衬底的底面逐渐增大；将所述键合层和所述第二晶圆进行键合，并去除所述第一晶圆的非修边区衬底以及减薄所述修边区衬底至目标厚度。

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