晶圆封装结构-pg电子麻将胡了

申请/专利权人：华为技术有限公司

申请日：2022-08-29

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117672979a

主分类号：h01l23/14

分类号：h01l23/14;h01l23/31

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：晶圆封装结构，包括：晶圆，载片、塑封料层及加强结构。晶圆包括堆叠在载片上硅晶圆片；加强结构设置在硅晶圆片远离载片的一侧。塑封料层包裹载片、晶圆及加强结构。载片的热膨胀系数小于硅晶圆片的热膨胀系数，加强结构的热膨胀系数小于或等于硅晶圆片的热膨胀系数；或，载片的热膨胀系数大于硅晶圆片的热膨胀系数，加强结构的热膨胀系数大于或等于硅晶圆片的热膨胀系数。本申请实施例提供的晶圆封装结构，在硅晶圆片远离载片的第二表面设置有加强结构，高温时加强结构对硅晶圆片远离载片的表面施加的应力与载片对硅晶圆片施加的应力方向相同，因此加强结构的引入可以降低硅晶圆片两个表面的受力差，使得硅晶圆片发生较小的翘曲。

主权项：1.一种晶圆封装结构，其特征在于，包括：载片；晶圆，堆叠在所述载片上；加强结构，所述加强结构设置在所述晶圆远离所述载片的一侧；塑封料层，所述塑封料层包裹所述载片、所述晶圆及所述加强结构；所述晶圆包括硅晶圆片和设置于所述硅晶圆片上的多个集成电路；所述载片的热膨胀系数小于所述硅晶圆片的热膨胀系数，所述加强结构的热膨胀系数小于或等于所述硅晶圆片的热膨胀系数；或，所述载片的热膨胀系数大于所述硅晶圆片的热膨胀系数，所述加强结构的热膨胀系数大于或等于所述硅晶圆片的热膨胀系数。

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