硼扩散方法、太阳能电池及其制备方法-pg电子麻将胡了

申请/专利权人：横店集团东磁股份有限公司

申请日：2022-08-25

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117673191a

主分类号：h01l31/18

分类号：h01l31/18;h01l21/225

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本发明涉及一种硼扩散方法、太阳能电池及其制备方法。该硼扩散方法包括以下步骤：将制绒清洗后的硅片置于扩散设备中；在预设压力和预设温度下，向扩散设备中通源进行沉积，其中，通源包括通入硼源、氧气、水蒸气以及第一保护性气体，硼源、氧气以及水蒸气的体积比为1.8∶7.2∶1‑2.3∶8.2∶1以及升温，采用第二保护性气体对沉积后的硅片进行吹扫。该硼扩散方法能够使b均匀分布于硅片表面，从而使制得的硼扩后硅片具有优异的方阻均匀性，能够更好的应用于制备太阳能电池。

主权项：1.一种硼扩散方法，其特征在于，主要包括以下步骤：将制绒清洗后的硅片置于扩散设备中；在预设压力和预设温度下，向所述扩散设备中通源进行沉积，其中，所述通源包括通入硼源、氧气、水蒸气以及第一保护性气体，所述硼源、所述氧气以及所述水蒸气的体积比为1.8∶7.2∶1-2.3∶8.2∶1以及升温，采用第二保护性气体对沉积后的所述硅片进行吹扫。

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