太阳能电池及其制造方法-pg电子麻将胡了

申请/专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司

申请日：2020-10-27

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn112349798b

主分类号：h01l31/042

分类号：h01l31/042;h01l31/0224;h01l31/0216;h01l31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.08#授权;2024.02.02#著录事项变更;2021.03.02#实质审查的生效;2021.02.09#公开

摘要：本发明实施例提供一种太阳能电池及其制造方法，太阳能电池包括：基底，所述基底包括第一区域和第二区域；位于所述基底上表面的发射极；在所述基底下表面依次层叠的隧穿层、场钝化层、第二钝化膜以及第二电极，所述第一区域的场钝化层用于与所述第二电极接触，所述第一区域的场钝化层的电导率大于所述第二区域的场钝化层的电导率，所述第二区域的场钝化层的吸光能力弱于所述第一区域的场钝化层的吸光能力。本发明实施例有利于提高太阳能电池的转换效率。

主权项：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一区域和第二区域；位于所述基底上表面的发射极；在所述基底下表面依次层叠的隧穿层、场钝化层、第二钝化膜以及第二电极，所述第一区域的场钝化层用于与所述第二电极接触，所述第一区域的场钝化层的电导率大于所述第二区域的场钝化层的电导率，所述第二区域的场钝化层的吸光能力弱于所述第一区域的场钝化层的吸光能力；在远离所述基底的方向上，所述第一区域的场钝化层包括依次层叠的离子扩散层和离子富集层，所述离子富集层的掺杂浓度大于所述离子扩散层的掺杂浓度；在所述基底朝向所述场钝化层的方向上，所述第二区域的场钝化层的顶面低于所述第一区域的场钝化层的顶面，且所述第二区域的场钝化层和所述第一区域的场钝化层的厚度差大于所述离子富集层的厚度；至少部分所述第二区域的所述场钝化层的掺杂浓度与所述第一区域的所述场钝化层的掺杂浓度相等。

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