横向扩散金属氧化物半导体结构-pg电子麻将胡了

申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2022-09-14

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117673150a

主分类号：h01l29/78

分类号：h01l29/78;h01l29/06

优先权：["20220825 tw 111132084"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体laterallydiffusedmetal‑oxide‑semiconductor，ldmos结构，包含一基底，多个鳍状结构位于基底上，一栅极结构，位于基底上并且跨越多个鳍状结构，以及一栅极接触层，位于栅极结构上，其中栅极接触层电连接一虚设接触结构。

主权项：1.一种横向扩散金属氧化物半导体laterallydiffusedmetal-oxide-semiconductor，ldmos结构，包含：基底；多个鳍状结构，位于该基底上；栅极结构，位于该基底上并且跨越该多个鳍状结构；以及栅极接触层，位于该栅极结构上并且电连接该栅极结构，其中该栅极接触层电连接虚设接触结构。

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