太阳能电池及光伏组件-pg电子麻将胡了

申请/专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司

申请日：2022-09-08

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117673176a

主分类号：h01l31/0216

分类号：h01l31/0216;h01l31/0236;h01l31/05;h01l31/048

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面以及背面；位于与金属图案区域对准的基底正面上且在沿背离基底方向上依次设置的第一隧穿层以及第一掺杂导电层，第一掺杂导电层的掺杂元素类型与基底的掺杂元素类型相同；位于基底背面且在沿背离基底方向上依次设置的第二隧穿层以及第二掺杂导电层，第二掺杂导电层的掺杂元素类型与第一掺杂导电层的掺杂元素类型不同；第一掺杂导电层在拉曼能谱中的第一峰值附近的半峰宽值不大于第二掺杂导电层在拉曼能谱中的第一峰值附近的半峰宽值。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换性能。

主权项：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：基底，所述基底具有相对的正面以及背面；位于与金属图案区域对准的基底正面上且在沿背离所述基底方向上依次设置的第一隧穿层以及第一掺杂导电层，所述第一掺杂导电层的掺杂元素类型与所述基底的掺杂元素类型相同；位于所述基底背面且在沿背离所述基底方向上依次设置的第二隧穿层以及第二掺杂导电层，所述第二掺杂导电层的掺杂元素类型与所述第一掺杂导电层的掺杂元素类型不同；所述第一掺杂导电层在拉曼能谱中的第一峰值附近的半峰宽值不大于所述第二掺杂导电层在拉曼能谱中的所述第一峰值附近的半峰宽值。

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