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申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2022-08-10

公开(公告)日:2024-03-08

公开(公告)号:cn117677205a

主分类号:h10b80/00

分类号:h10b80/00;h01l23/50

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.03.08#公开

摘要:本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构的制造方法、半导体结构和半导体器件,半导体结构的制造方法包括:提供多个芯片,芯片包括在第一方向排列的元件区和划片道区;多个芯片中的至少一者具有供电布线层,供电布线层从元件区延伸至划片道区;将多个芯片堆叠设置,以形成芯片模块;芯片的堆叠方向为第二方向,第二方向与第一方向垂直;多个芯片的元件区相重叠,多个芯片的划片道区相重叠;形成芯片模块后,对多个划片道区远离元件区的侧面进行平坦化处理,以至少去除部分划片道区,并露出供电布线层;在平坦化处理的侧面形成焊盘,焊盘与供电布线层相连。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。

主权项:1.一种半导体结构的制造方法,其特征在于,包括:提供多个芯片,所述芯片包括在第一方向排列的元件区和划片道区;所述多个芯片中的至少一者具有供电布线层,所述供电布线层从所述元件区延伸至所述划片道区;将多个所述芯片堆叠设置,以形成芯片模块;所述芯片的堆叠方向为第二方向,所述第二方向与所述第一方向垂直;多个所述芯片的所述元件区相重叠,多个所述芯片的所述划片道区相重叠;形成所述芯片模块后,对多个所述划片道区远离所述元件区的侧面进行平坦化处理,以至少去除部分所述划片道区,并露出所述供电布线层;在所述平坦化处理的侧面形成焊盘,所述焊盘与所述供电布线层相连。

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