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申请/专利权人:科磊股份有限公司

申请日:2019-03-04

公开(公告)日:2024-03-08

公开(公告)号:cn111837226b

主分类号:h01l21/66

分类号:h01l21/66;g01b15/04;g01n23/201;h01l29/78;h10b12/00

优先权:["20180305 us 62/638,721","20190222 us 16/283,690"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.08#授权;2021.03.26#实质审查的生效;2020.10.27#公开

摘要:一种半导体计量工具检验半导体晶片的区域。所述经检验区域包含在至少一个维度上周期性地布置的3d半导体结构的多个例子。计算机系统基于在所述检验期间收集的测量产生所述3d半导体结构的相应例子的模型。所述计算机系统呈现展示所述模型的3d形状的所述模型的图像且将所述图像提供到装置以用于显示。

主权项:1.一种非暂时性计算机可读存储媒体,其存储用于由计算机系统的一或多个处理器执行的一或多个程序,所述一或多个程序包含用于执行以下操作的指令:基于通过半导体计量工具对包含周期性布置的三维3d半导体结构的多个例子的半导体晶片的区域的检验,产生所述3d半导体结构的相应例子的模型;呈现展示所述模型的3d形状的所述模型的图像,所述图像包含:所述3d半导体结构的所述相应例子的顶表面或底表面中的至少一者;及所述3d半导体结构的所述相应例子的介于所述顶表面与所述底表面之间的用户可选半透明横截面;及将所述图像提供到装置以用于显示;其中产生所述3d半导体结构的所述相应例子的所述模型包括:获得用于所述3d半导体结构的不同例子的测量组,所述组经标记有尺寸的相应值;及使用所述组及在所述检验期间收集的测量执行机器学习以确定用于所述相应例子的所述尺寸的值,其中所述产生是在未使用所述3d半导体结构的经参数化几何模型的情况下执行的。

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