用于形成含硅膜的方法及由此形成的含硅膜-pg电子麻将胡了

申请/专利权人：up化学株式会社

申请日：2022-07-21

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：cn117677729a

主分类号：c23c16/40

分类号：c23c16/40;c07f7/10;c23c16/455;c23c16/18;c23c16/32;c23c16/34

优先权：["20210723 kr 10-2021-0097389"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.08#公开

摘要：本发明涉及一种用于形成含硅膜的方法，以及由此形成的含硅膜。本发明的用于形成含硅膜的方法可以使用包含具有特定结构的硅前体化合物的用于形成含硅膜的组合物在600℃或更高的高温下有效地形成包括含硅氧化物膜或含硅复合金属氧化物膜的含硅膜，控制含硅膜具有所需膜的厚度和组分，并且即使在具有复杂形状的衬底上也能形成具有优异覆盖率和均匀性的含硅膜。

主权项：1.一种用于形成含硅膜的方法，所述方法包括通过化学气相沉积cvd或原子层沉积ald来使用用于形成含硅膜的组合物在衬底上沉积含硅膜，所述组合物包含由下式1表示的硅前体化合物，其中，含硅膜包括选自含硅氧化物膜和含硅复合金属氧化物膜中的至少一种，沉积在600℃或更高的温度下进行：[式1] 在式1中，r11和r12各自独立地选自氢和线型或支化的c1-c4烷基基团，并且r13至r17各自独立地选自氢、线型或支化的c1-c4烷基基团和线型或支化的c2-c6烯基基团，前提是r13和r14中的至少一者不为氢；并且r15至r17中的至少一者不为氢。

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